RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3632
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link