RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3705
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link