RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
42
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2966
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link