RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
42
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
4116
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link