RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3614
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link