RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
42
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2382
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link