RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
42
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2580
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link