RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
31
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
18
Prędkość odczytu, GB/s
15.2
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
13.2
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3217
3814
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link