RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3384
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link