RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
14
29
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.1
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
14
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
25.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
19.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
4182
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link