RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
24
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2462
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link