RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
58
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
14.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
58
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
1968
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link