RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
58
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
58
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2125
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix JICRBOOAN-8G1600PC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link