RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3124
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link