RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
91
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
4.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
91
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
6.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
4.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
1214
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link