RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
6.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
41
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
7.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
1512
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link