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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Puntuación global
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 7.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.7 left arrow 6.1
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    41 left arrow 41
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 7.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.7 left arrow 6.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2366 left arrow 1512

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM

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