RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Porównaj
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
12.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
10600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2350
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M392B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link