RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Porównaj
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
52
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
52
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2472
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link