RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
52
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,479.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,226.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,479.2
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
590
2808
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link