RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Porównaj
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
52
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,479.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,226.4
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,479.2
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
590
2462
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link