RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
57
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
57
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
2377
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link