RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
59
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
59
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
1954
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link