RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2014
3068
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link