RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
31
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
22
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
3038
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link