RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
37
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
37
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
2438
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin 991586 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link