RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
28
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
11.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.1
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2581
3963
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link