RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
35
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3655
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link