RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
36
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
21
Prędkość odczytu, GB/s
16.4
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2729
2930
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link