RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
36
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.4
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2729
3646
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link