RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
34
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
2949
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link