RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Porównaj
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
43
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
43
Prędkość odczytu, GB/s
18.6
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
16.6
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3938
2615
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link