RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Porównaj
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB vs Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
14
28
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.1
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
14
28
Prędkość odczytu, GB/s
25.1
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
19.3
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
4182
3785
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
ASint Technology SLA302G08-GGNNG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link