RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
46
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
40
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2965
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Inmos + 256MB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link