RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
60
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
60
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2554
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link