RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
105
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
2,016.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
6400
5300
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
49
105
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
2,861.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
2,016.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
5300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
672
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TCM633-QAC 1GB
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB Porównanie pamięci RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link