RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
49
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2938
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link