RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
49
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3510
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link