RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3733
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link