RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
68
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
68
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
1904
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link