RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3453
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link