RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
49
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
41
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2870
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT51264BF1339.M16F 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link