RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
49
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3310
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link