RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
49
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3596
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
INTENSO M418039 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link