RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
49
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2628
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link