RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
49
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2658
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link