RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3294
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link