RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
49
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3458
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link