RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
81
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
81
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
1456
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link