RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
49
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3125
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Ramaxel Technology RMR5040MM58F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link